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想看看闪存芯片里面是什么样的吗？火烧三星K9LAG闪存芯片！

本主题由 tt660 于 2008.4.2 21:13 加入精华

wl030827

等风的车

King

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楼主大中小发表于 2008.03.30 14:41:55 只看该作者

想看看闪存芯片里面是什么样的吗？火烧三星K9LAG闪存芯片！

想看看芯片里面是什么样的吗？火烧三星K9LAG闪存芯片！
本人小学3年级的时候就开始烧芯片了，烧到了现在（高二），对养育我的大自然说声对不起，我污染了大气。。。。
忘了拍遗照了，相信大家一定见过三星2GB闪存颗粒K9LAG....也不用我多介绍了
烧完了：

开始“扒皮”：

两颗硅芯片背靠背贴在一起，中间是铁片+粘合剂

此为芯片里相当于骨架的铁片（如果是1G颗粒的话，应该是一大片铁片）
以前从东芝1GB SD卡里拆出的闪存颗粒由于硅芯片粘在铁片上，分离的时候芯片就碎了。。。。三星的这个非常好拆

两片单片容量1GB的MLC闪存。
我的手啊。。。。。用酒精洗下就OK了^ ^
此时芯片上还附着着封装闪存的材料(谁能告诉我那是什么材料?硬度非常大...)

把上面的封装物用小刀仔细挂掉就露出了硅芯片

刮下来的碎屑

芯片的背面就显示出了纯度为99.9999%的硅单质的灰黑色,具有金属光泽,但它是非金属.除了硅(Si)外,还有锗(Ge)等

绝对可以当镜子用，呵呵

此时还没有见到它的庐山真面目呢，还需要用小刀非常非常非常非常仔细地把芯片上的褐色的膜刮掉

怎么样？美吧？
像防伪标记似的，转动不同的角度能变幻出不同的颜色
查了资料，那层褐色的膜有可能是二氧化硅（沙子的主要成分），英特尔的资料如下：
由于二氧化硅（SO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作闸极电介质的材料。

当英特尔导入65纳米制造工艺时，虽已全力将二氧化硅闸极电介质厚度降低至1.2纳米，相当于5层原子，但由于晶体管缩至原子大小的尺寸时，耗电和散热亦会同时增加，产生电流浪费和不必要的热能，因此若继续采用目前材料，进一步减少厚度，闸极电介质的漏电情况势将会明显攀升，令缩小晶体管技术遭遇极限。

为解决此关键问题，英特尔正规划改用较厚的High-K材料(铪hafnium元素为基础的物质）作为闸极电介质，取代沿用至今已超过40年的二氧化硅，此举也成功使漏电量降低10倍以上。

上几个高清晰图片

经测量，芯片的尺寸为13mmX11.5mmX0.25（长X宽X厚）
刮的时候不小心弄断了一块，心痛啊。。。。

合个影吧

再引用些网上的图片
三星50nm 16GB 闪存芯片

三星30nm 64GB 闪存芯片

下面再上块芯片，没有烧，著名的君正JZ4732，华芯飞方案的芯片，366MHz主频，RMVB解码

没想到366MHz的芯片就这么点面积，看来中国的技术还是可以滴 ^ ^

[ 本帖最后由 wl030827 于 2008.4.3 19:22 编辑 ]

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⑦仙道彰金币 +10 给你加分 2008.6.21 18:52

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wl030827

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2楼大中小发表于 2008.03.30 14:43:38 只看该作者

晕，IMP3的标志把我加在照片上的名字盖住了！！
发完帖子考试去，小高考二模~~~~~~

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pcfantasy

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3楼大中小发表于 2008.03.30 14:50:29 只看该作者

真NB，真厉害

好佩服你的说~

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figure168

也许人生就在于……折腾

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4楼大中小发表于 2008.03.30 16:02:27 只看该作者

高二啊，真年轻。。。。

简而精。

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kizi817

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5楼大中小发表于 2008.03.30 16:03:20 只看该作者

别再烧了，留着给做2个U盘吧~~~~~

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⑦仙道彰

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6楼大中小发表于 2008.03.30 16:13:22 只看该作者

原创？

+点说明来个精华如何？

等咱中国强大了，全叫老外考中文四六级！文言文太简单，全用毛笔答题，这是便宜他们。惹急了一人一把刀一个龟壳，刻甲骨文！论文题目就叫：论三个代表！到了考听力的时候全用周杰伦的歌，《双截棍》听两遍，《菊花台》只能听一遍。告诉他们这是中国人说话最正常的语速！阅读理解全是政府工作报告，口试要求唱京剧，实验就考包粽子